중국 CXMT, 기술 격차로 D램 시장 영향 제한적

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 공급 확대에도 불구하고 삼성전자·SK하이닉스와의 기술 격차로 인해 시장에 미치는 영향이 제한적일 것으로 전망된다. CXMT의 웨이퍼 생산능력은 월 30만장으로 마이크론과 비슷하지만, 웨이퍼당 D램 생산량은 마이크론의 4분의 1 수준에 불과하다. 2025년 기준 마이크론은 웨이퍼당 2만612기가비트(Gb)를 생산한 반면 CXMT는 5746Gb에 그쳤다.

기술 격차의 핵심은 공정 수준의 차이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 1b나노 공정을 주력으로 사용하며 2027년 말에는 1c나노로 전환할 예정이다. 반면 CXMT의 주력 공정은 1x나노로, 선두 업체와 약 5세대 격차가 벌어져 있다. 공정이 뒤처지면 같은 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩 수가 적고 전력 효율과 처리 속도도 떨어진다.

골드만삭스는 EUV 등 첨단 제조 장비 확보 제한으로 기술 격차가 당분간 지속될 것으로 예측했다. 시장조사 업체 옴디아는 CXMT의 출하량 기준 시장점유율이 2027년까지 7%를 넘기 어려울 것으로 내다봤다.