

中 CXMT D램 기술 진전에 美 반도체주 급락
수정2026년 10월 13일 07:29
게시2026년 10월 13일 07:19
newming AI
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중국 CXMT가 차세대 D램 기술에서 집적도를 높인 4F² 구조의 진전을 발표하자 뉴욕증시에서 반도체 관련주가 일제히 흔들렸다. 마이크론은 3.88% 급락했고 SK하이닉스 ADR도 4%대 하락하며 필라델피아 반도체지수는 2.67% 떨어졌다.
지정학적 리스크로 국제유가가 급등해 금리 인상 우려가 커진 가운데 중국의 메모리 기술 추격 소식까지 겹치며 투자심리가 급격히 위축됐다. 레버리지 반도체 ETF '속슬'은 8% 넘게 폭락했고 엔비디아, 인텔 등 주요 반도체주도 동반 약세를 보였다.
다우지수는 소폭 상승했지만 나스닥과 S&P500은 기술주 매도세에 하락 마감하며 시장 전반의 차익실현 압력이 부각됐다. 중국발 기술 추격이 현실화될 경우 미국 메모리 업계의 경쟁우위 약화 우려가 더 커질 전망이다.

中 메모리 기술 추격에 마이크론 3.9% 급락…美 반도체주 일제히 하락
中 "D램 기술 진전" 주장에 반도체주 약세…국제유가도 급등 [뉴욕증시 브리핑]
[뉴욕증시] 유가 상승·반도체 약세에 기술주 하락…'속슬' 8.2% 폭락