삼성전자, 엔비디아 대상 프리미엄 HBM4 공급 확대

삼성전자가 엔비디아를 대상으로 초당 13기가비트(Gb) 속도의 프리미엄 HBM4 공급을 압도적으로 늘린다고 밝혔다. 황상준 메모리개발담당 부사장은 16일 엔비디아 GTC 2026 행사에서 '100% 제품이 고성능으로 다 나온다'며 자신감을 드러냈다.

삼성전자는 4㎚ 파운드리 공정과 MIM 커패시터 기술을 활용해 고성능과 전력 효율성을 동시에 달성했다. 차세대 HBM4E는 동작 속도를 23% 개선한 16Gb를 구현하면서도 전력 소모량은 동일하게 유지했다. 올 3분기 샘플 공급과 4분기 초도 양산을 추진 중이다.

SK하이닉스는 TSMC 12㎚ 공정 사용으로 삼성전자와의 기술 격차가 벌어지자 HBM4E에서 3㎚ 공정 도입을 검토 중이다. 다만 3㎚ 웨이퍼 단가가 12㎚ 대비 4~5배 비싼 만큼 원가 부담이 커질 전망이다.