KERI, SiC 반도체 결함 파장 15년 만에 정정

한국전기연구원(KERI) 나문경 박사팀이 SiC 전력반도체 내부 결함의 특성 발광 파장을 세계 최초로 재규명했다. 15년간 통용되던 424nm 기준이 오류였으며 실제 파장은 459nm임을 증명했다.

이번 성과는 충남대, 호리바에스텍코리아, SK실트론과의 공동연구로 이뤄졌다. 연구 결과는 재료 분야 학술지 악타 머티리얼리아에 게재됐고 나 박사는 2026 호리바 마사오상 Honorable Mention을 수상했다.

전기차 핵심 부품인 SiC 반도체의 품질 판별 기준이 바로잡히면서 성능 및 신뢰성 향상에 기여할 것으로 기대된다. 국내 반도체 소재 연구 역량이 국제적으로 재평가받는 계기가 될 전망이다.