SK하이닉스, 중국 4F² D램에 6F² 플랫폼 우선 전략

SK하이닉스는 2026년 10월 28일 열린 3분기 실적 설명회에서 중국 창신메모리(CXMT)가 개발 중인 차세대 D램 기술 4F²보다 기존 6F² 스퀘어 구조를 최대한 활용하는 것이 우선이라고 밝혔다. 회사는 공정 성숙도와 안정적인 플랫폼 운영을 바탕으로 6F² 구조를 활용한 뒤 4F² 또는 3D D램 플랫폼으로 전환하는 기술을 개발 중이라고 했다.

회사는 EUV 기반 미세화 공정 혁신을 통해 6F² 플랫폼을 추가로 확장할 기술적 여력을 확보했다고 덧붙였다. 새로운 구조를 제품에 적용하려면 성능뿐 아니라 수율, 신뢰성, 원가 경쟁력을 갖추고 제품 설계와 고객 평가를 거쳐야 한다고 지적했다.

SK하이닉스는 4F², 3D D램까지 단계별 기술 로드맵을 준비하고 있으며 기술 완성도와 경제성이 확보되는 시점에 맞춰 적합한 제품에 적용할 계획이라고 밝혔다. 기술 구현 시점과 실제 상용화 시점은 구분해서 볼 필요가 있다는 입장이다.