CXMT, 연내 4F² 차세대 D램 출시 예고

중국 CXMT가 독자 개발한 수직 서라운드 게이트 트랜지스터 기반 4F² 셀 구조의 서버용 D램을 올해 말 출시하겠다고 밝혔다. 해당 제품은 차세대 DDR5 RDIMM으로 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있다.

4F² 기술은 삼성전자와 SK하이닉스도 개발 중인 차세대 설계 방식으로, AI 인프라와 휴머노이드 로봇 시장 확대로 D램 수요가 급증하는 가운데 CXMT가 고부가가치 영역까지 추격 범위를 넓히고 있다. CLSA는 CXMT의 점유율이 올해 12%에서 내년 14%로 상승할 것으로 전망했다.

다만 CXMT의 공언대로 연내 출시가 이뤄지더라도 수율과 안정성, 고객 확보라는 과제가 남아 있어 실제 양산 경쟁력은 지켜봐야 한다. 최태원 SK그룹 회장도 중국의 빠른 추격을 경계해야 한다고 언급하며 메모리 3사의 기술 격차 유지가 변수로 떠올랐다.