숭실대 이웅규 교수팀, 차세대 DRAM 성능 향상 박막 공정 기술 개발

숭실대학교 신소재공학과 이웅규 교수 연구팀이 원자층증착(ALD) 기반 박막 공정 기술을 개발해 차세대 DRAM 메모리 커패시터 성능을 향상시켰다.

연구팀은 ALD 공정 초기 단계의 계면 반응과 산화 거동을 정밀하게 제어해 불필요한 계면 산화층 형성을 억제했으며, 그 결과 메모리 소자의 누설전류 특성과 전기적 안정성이 개선됐다. 이번 연구는 재료과학 분야 세계적 학술지 Materials Horizons에 게재되며 해당 호의 Inside Front Cover 논문으로 선정됐다.

이 기술은 차세대 메모리 소자의 미세화 공정에서 중요한 증착 공정 기반 계면 제어 기술로 활용될 것으로 기대되며, 향후 다양한 반도체 박막 공정 연구에도 적용될 수 있을 전망이다.