서울시립대 연구팀, 양극성 박막트랜지스터 개발

서울시립대학교 김혁 교수와 동아대학교 이용주 교수 공동연구팀이 하나의 혼합 반도체층에서 P형과 N형 동작을 모두 구현하는 양극성 박막트랜지스터를 개발했다. 연구팀은 P형 고분자 DPP-DTT와 N형 고분자 N2200을 혼합한 유기반도체층으로 두 가지 동작을 동시에 구현했다. 절연층인 PMMA까지 용액공정으로 형성해 제조공정을 단순화했다.

두 고분자를 5대 95 비율로 혼합했을 때 전자와 정공이 균형 있게 이동하는 특성이 가장 우수하게 나타났다. 연구팀은 이를 바탕으로 P형과 N형 동작이 모두 가능한 인버터 회로를 구현했으며, 소자 구조 최적화를 통해 최대 약 22의 전압 이득을 달성했다. 대면적·저비용 제조 가능성도 함께 제시했다.

연구 결과는 와일리(WILEY)가 발행하는 학술지 Small에 게재됐다. 김혁 교수는 유연전자와 인쇄전자 분야에 활용될 수 있을 것으로 기대한다고 밝혔다.