삼성전자, HBM 내부 오류·발열 실시간 기록 기술 특허 공개

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 작동 중 발생하는 오류와 온도 변화를 실시간으로 기록하는 기술을 개발했다. 자동차 블랙박스처럼 HBM 내부 상태를 시간대별로 저장해 문제 발생 시 원인을 빠르게 추적할 수 있도록 하는 기술이다.

베이스다이에 탑재된 소형 프로세서가 데이터 처리량, 대기열, 실리콘관통전극(TSV) 연결 상태, 전압, 전류, 온도, 오류 정정 정보 등을 수집한다. 각 정보에는 발생 시각이 기록되며 베이스다이 내부 임시 저장 공간에 차례로 쌓인다. 기존 방식과 달리 HBM을 정상 작동시키면서 동시에 내부 상태를 계속 기록할 수 있다.

AI 가속기용 HBM의 데이터 처리 속도와 적층 단수가 높아지면서 오류 진단과 전력·열 관리 능력이 차세대 HBM 경쟁력을 좌우할 차별화 요소로 부상할 전망이다.