숭실대 이웅규 교수팀, 차세대 메모리용 나노 보호막 기술 개발

숭실대학교 신소재공학과 이웅규 교수팀이 차세대 메모리 내부에 원자 수준의 나노 보호막을 입혀 누설 전류를 차단하는 기술을 개발했다. 새로운 합성 물질(MePrCp-Zr)을 사용해 기존 재료보다 빠르게 굳으면서 산화층을 0.38nm 줄였으며, 누설 전류는 10배 이상 개선되고 유전율은 17% 향상됐다.

이 기술은 반도체 미세화에 따른 전기 누설 문제를 해결해 스마트폰과 컴퓨터의 성능을 극대화할 수 있다. 특히 인공지능과 자율주행차 같은 대용량 데이터 처리가 필요한 분야에서 필수적인 기술로 평가된다.

이 연구는 세계적 권위지 '머티리얼즈 호라이즌스'의 표지 논문으로 선정되며 대한민국 반도체 기술의 위상을 높였다.