POSTECH, 온도 변화로 작동하는 초저전력 메모리 기술 개발

POSTECH 연구팀이 온도 변화만으로 전자의 스핀 방향을 제어하고 전원 없이 상태를 유지하는 메모리 기술을 개발했다. 이 기술은 기존 방식보다 최대 66배 이상 적은 에너지를 사용하는 초저전력 메모리로 이어질 수 있다.

연구팀은 가돌리늄 철 가넷과 홀뮴 철 가넷 두 종류의 희토류 철 가넷을 이중층 구조로 제작해 열 이력 현상을 활용했다. 특정 온도 범위에서 두 가지 서로 다른 자석 방향 상태가 안정적으로 유지되는 쌍안정성을 구현한 것이다. 이 연구는 국제 학술지 어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈에 앞속커버 논문으로 선정됐다.

AI 기술 발전으로 데이터센터의 전력 소비가 급증하면서 에너지 효율이 높은 메모리 기술의 필요성이 커지고 있다. 이번 연구는 스핀트로닉스 기반 초저전력 메모리 소자 개발에 중요한 전환점이 될 것으로 기대된다.